次世代プロセスの実現の鍵を握るEUV露光装置 - ASML社長が語った開発の現状と今後の計画

●次世代半導体プロセスの実現に向けたEUV露光装置の現状

2015年6月末にベルギーの首都Brusselsで開催された, 同国の独立系半導体・エレクトロニクス研究機関imecの年次事業計画紹介イベント「imec Technology Forum 2015」で露光装置大手であるASMLの社長兼CEOのPeter Wennink氏(図1)が招待講演し、EUVリソグラフィ装置(極端紫外線露光装置、図2)の開発状況と今後の計画について述べた。

Wennink社長は、「手ごろなコストで微細化できるかどうか(Affordable Scaling)が、今後の半導体産業の発展の鍵をにぎっている。そのためには、技術ノード7nm世代からEUVリソグラフィを生産導入できるようにし、液浸ArFリソグラフィとうまく組み合わせて(mix and match)使えるようにしなければならない。私は技術ではなく財務出身だから、コストのことは他の誰よりもわかっているつもりだ」と前置きして、2015年6月現在のEUVリソグラフィ装置の状況について以下のように説明した。

○生産性(2015年の目標は1日で300mmウェハを1000枚露光処理)