ISC 2015に見る今後のスーパーコンピューティングの方向性 (10) 将来のノードアーキテクチャはどうなるのか(4)

一方、eDRAMの場合はインタコネクトが大部分というのは多少無理があると思われる。

○メモリテクノロジの選択

SRAM、DRAM、Flash、PCM、STT、FeRAM、MRAM、RRAMと言った各種のメモリテクノロジを比較したのが、次の図4.21である。図4.21の6つのグラフは、上段左からハーフピッチ(nm)、メモリセルサイズ(F2)、密度(Mb/mm2)。下段左からRd/Wrサイクルタイム (ns)、Rd/Wrエネルギー(pJ/bit)、書き変え可能回数となっている。

現状では、密度が比較的高く、アクセス速度もかなり速いという特性を持つDRAMが第1レベルの大容量メモリ、速度や書き換え可能回数などに難点はあるが、高密度といいう点で大きなメリットがあるNAND FlashやPCM(Phase Change Memory)が第2レベルとして使われる。

ここで興味深いのは、DRAMとNAND Flashはすでに実用化されているが、Borkar氏がNANDと並んでPCMを挙げている点である。ISC 2015の終了後の7月28日にIntelとMicronは連名で3D Xpointと呼ぶ新型の高密度NVRAMを発表している。