SC15 - エクサスケールとその後のメモリテクノロジ (1) MicronとIntelが考える次世代メモリの姿

○IntelのSekhar Borkar氏のポジション

次の各グラフの8本の棒グラフは、左からSRAM、DRAM、Flash、PCM、STT、FeRAM、MRAM、RRAMを表している。そして、左上のグラフは、各メモリが作られているテクノロジノードのハーフピッチを示しており、より微細なプロセスで作られているSRAM、DRAMとFlashが成熟度が高い。その右のグラフはメモリのセルサイズを示したもので、面積の小さいDRAM、Flash、PCMが良い。右端のフラフはビット密度を示すもので、DRAM、Flash、PCMが良い。

下の段の左端はReadとWriteのサイクルタイムを示すグラフで、SRAMとDRAMが高速である。その右は、ビット当たりのReadとWriteのエネルギーを示すグラフで、メモリで必要とされる大容量が実現でき、エネルギーが小さいのはDRAMとFlashである。その右は寿命のグラフで、FlashやPCMは寿命に問題がある。

これらの特性をスコアカードにまとめたものが次の図で、容量、速度、エネルギーの点でバランスが取れているのはDRAMである。FlashとPCMはアクティビティが低いところでは大容量のメモリとして使えるという評価となっている。