重要な短絡障害からの保護 - 過酷な車載環境におけるUSBインタフェース開発

デュアルFETは低いオン状態抵抗(RDS(ON))により設計され、フロースルー設計によって、高速シグナル・インテグリティを維持可能とする内部レイアウトが特徴的です。1.0Vのしきい値電圧により、USBレベルの信号に合わせた、低いゲートドライブ電圧で運用可能です。

Vbus過電流保護は、図2の「NIS5135」に見られるように、電子ヒューズ(eFuse)によって実現されます。この3.6A/5Vデバイスは、接続されたUSBデバイスを、正常な状態で運用を継続可能とすると同時に、 過負荷や短絡状態の場合、過剰な電流消費からVbusラインを守るように設計されています。また、eFuseは事前に定義された値への出力クランピングにより源から発生する電圧スパイクから、USBデバイス(またはその下のダウンストリームIC)を保護します。

図1と図2に示される電気回路を組み合わせ、完全なUSB保護ソリューション、すなわちデータライン、Vbus、グランド接続を含むUSB 2.0 ESD保護を実現します。また、これは、自動車のバッテリへの短絡やグランドへの短絡などの障害から保護します。このアプローチは、ディスクリート部品を使用し、数多くの技術的、経済的メリットを提供します。