東北大など、スピンエサキ構造素子で半導体中のスピン検出感度を40倍に増幅

でdR/R≈1であり、観測された増幅率は約1と一定で、大きな増幅を示さない。一方で、0.3～0.4V付近(同非オーミック領域)のdR/R値が大きくなる領域でスピン信号が増大しており、dR/R値が最大のところで、約40倍の信号増幅ができていることが分かる。研究グループでは、今回の研究で得られた知見は、非オーミック性が強いスピンエサキ構造を用いることで初めて得られた成果であるとしている。

今回の成果により、スピン増幅のための指針が明らかになり、強磁性・半導体接合のdR/R値を大きくした材料を用いれば、微小な量のスピン情報を電気的手法で高感度に測定することができる。このスピン増幅機能は、バイアス電圧により電気的に制御可能であり、スピントロニクスデバイスの開拓に重要な役割を果たすことが期待されるとコメントしている。