ベルギーimecが次世代半導体デバイス・プロセスの方向を開示

2010年12月にimecに引き抜かれ、現在、imecの半導体プロセス研究開発の最高責任者として、7-5 nm CMOSプロセス およびポストCMOSプロセス開発チームを率いている。去る6月に京都で開催されたVLSIシンポジウムでも招待講演を行っており、次世代半導体プロセス開発の第一人者である。

Steegen氏は、まず図2を示して、センサ端末から、ウォッチ、スマートフォン、PC、を経てサーバに至るIoTの主要構成要素には、消費電力、演算性能、I/Oバンド幅、記憶容量に関してそれぞれ異なった要求があり、それぞれの要求に応じた半導体デバイス開発が求められていることを説明した。そして今回は、すべてのモノをインターネットに結ぶIoTの要である、最も高性能を要求されるクラウドコンピュ―ティング用サーバ(図3)に焦点をしぼり、そのための半導体デバイスを実現するための今後のプロセス開発方向を紹介すると前置きして、話しを始めた。

半導体デバイスのパフォーマンス(単位消費電力当たり)を向上させるには、
回路パターンの微細化(scaling)
デバイス構造および材料の変更
ファンクションのスケーリング

の3通りの手法があるが、まず、デバイス構造の微細化の方向を紹介しよう。