G450CがAVS学会で450mm CMP装置評価の現状を報告 - 世界で初めて450mm Cu/low-kダマシン・ウェハ試作に成功

にG450Cの450mmクリーンルーム内で始めることになるという。

2台の450mm CMP装置(装置番号「GTC01」および「GTC02」)それぞれについて酸化膜CMPおよびCu CMPプロセスにおける被膜除去レートおよびウェハ面内付不均一性(With-In Wafer Non-Uniformity:WIWNU)のデータを図3、図4示す。いずれもそれぞれのサプライヤ(装置メーカー)のクリーンルーム内で取得された初期データであり、G450Cのクリーンルームに納入前のデータである。納入後、G450Cとして独自に同じ評価を実施することになっている。酸化膜CMPのWIWNUは、4%(3σの値、外周除外領域は2mm)前後、Cu配線CMPのWIWNUは6%前後の値が得られている。「初期データとしては、素晴らしい結果で、450mmCMP装置に本質的な問題はないと判断している」(Borst氏)としている。

○世界初のCu/low-kダマシン構造パターン形成ウェハを作製

図5に示すCu/low-kダマシンCMPプロセスを用いて、450mmウェハ上にBEOL配線構造(第1Cu配線層)を形成し、SEMICON WEST 2015の会場で、「世界初の450mm BEOL Cuダマシン構造パターン形成ウェハ」