G450CがAVS学会で450mm CMP装置評価の現状を報告 - 世界で初めて450mm Cu/low-kダマシン・ウェハ試作に成功

を展示した。

ここで用いたBEOLプロセスは、次のような構成になっている(図5参照)。

ILD積層およびパターニング:シリコン基板上にlow-k層間絶縁膜(Inter-Layer Dielectlic film:ILD)を積層堆積し、その上にハードマスクの役割を果たすTiN膜、 OPL(Organic Planarization Layer:有機平たん化膜)、SiARC(Silicon-containing Anti-Reflective Coating:シリコン含有反射防止膜)を順に堆積し、さらにその上にフォトレジスト膜をスピンコートする。MHMオープン:フォトレジストをパターニングして、それをマスクにしてTiN膜をエッチングしてパターン形成し、メタル・ハードマスク(MHM)を作製する。
トレンチ・エッチング:パターン形成したMHMを用いてILD膜をエッチングしてトレンチを形成する。
リニアおよびCu電気めっき:トレンチ内壁に薄いリニア膜を堆積してから、電気めっきでトレンチにCuを埋め込む。
CMP:余剰のCuをCMP(化学機械研磨)で研磨して除去し、ウェハ表面を平たん化してCu/low-kダマシン構造を完成させる。