7nm以降のプロセスは実現できるのか? - imecが進める次世代リソグラフィ開発の現状

ベルギーの独立系先端半導体研究機関imecは、日本をはじめ海外の企業とも積極的に協業して、7nmおよびそれ以降のプロセス開発のための次世代リソグラフィ(多重露光液浸ArF露光およびEUV露光)の実用化を急いでいる。

○Novaと協業して進める4重露光液浸ArF露光のCD計測

液浸ArFリソグラフィ(波長193nm)を用いた7nm技術ノードのデバイス製作に向けてimecと米国計測器メーカーのNova Measurement Instrumentsは、自己整合4重露光(Self-Alligned Quadruple Patterning:SAQP)のプロセスを精密に制御するための光波散乱計測(scatterometry)手法を開発し, 2月末に米国カリフォルニア州サンノゼで開催された「SPIE advanced Lithography Conference 2016」で発表した。

従来の測長SEMでは計測できなかったライン&スペースの周期構造の断面を非破壊で計測できるため、超微細構造のCD(critical dimension)計測に威力を発揮する。imecのプロセス開発担当SVPのAn Steegen氏は「Novaとの協業により、最先端の7nmデバイス製作向けのプロセスの精密な制御が可能になり、生産開始までの時間を短縮できるだろう」